Seu método de síntese utiliza principalmente silício elementar e nitrogênio para uma reação química nas condições de 1.300 graus Celsius a 1.400 graus Celsius e, em seguida, obtém nitreto de silício. Também pode ser sintetizado através de diimina ou pode ser usado carbono. A reação de redução térmica é sintetizada sob nitrogênio entre 1.400 graus Celsius e 1.450 graus Celsius. A reação de redução carbotérmica é uma maneira simples e econômica de fabricar pó de nitreto de silício na indústria.
Se você deseja depositar nitreto de silício em um semicondutor, pode usar a tecnologia de deposição química de vapor de baixa pressão em uma temperatura relativamente alta usando um forno tubular vertical ou horizontal, ou pode usar a tecnologia de deposição química de vapor aprimorada por plasma em uma temperatura relativamente alta . Execute sob baixo vácuo. Como os parâmetros da célula unitária do nitreto de silício são diferentes daqueles do silício elementar, o filme de nitreto de silício gerado gerará tensão ou tensão dependendo do método de deposição. Especialmente quando a tecnologia de deposição química de vapor aprimorada por plasma é usada, ela pode ser ajustada por Os parâmetros de deposição atuam, portanto, para reduzir a tensão.
O nitreto de silício granular é difícil de processar e não pode ser aquecido acima do ponto de fusão, porque se o ponto de fusão for excedido, o nitreto de silício se decomporá em silício e nitrogênio, portanto, preste atenção a isso durante o processamento.
