Carborundum Preto

Carborundum Preto Descrição

Nos próximos anos, a proporção de wafers epitaxiais de carboneto de silício de grande porte aumentará ano a ano. À medida que o substrato de carboneto de silício de 4- polegadas e a tecnologia epitaxial se tornam cada vez mais maduros, portanto, o wafer epitaxial de carboneto de silício de 4- polegadas não há mais escassez de oferta, seu espaço futuro de redução de preço é limitado. Além disso, embora os atuais fabricantes avançados internacionais tenham desenvolvido substrato de carboneto de silício de 8- polegadas, sua entrada no mercado de fabricação de dispositivos de potência de carboneto de silício será um processo longo, com a maturação gradual do substrato de 8- polegadas tecnologia epitaxial de carboneto de silício, o futuro pode aparecer na linha de produção de dispositivos de potência de carboneto de silício de 8- polegadas.

Se você está interessado em nossos produtos, entre em contato conosco agora! Podemos personalizar nossos produtos de acordo com as necessidades do cliente!

Especificação de pó de carboneto de silício preto

Fornecedores de pó de carboneto de silício preto - ZhenAn International

Fabricante de grão de carboneto de silício 80 - ZhenAn International

60 90 Fornecedor de carboneto de silício granulado - ZhenAn International

A epitaxia de carboneto de silício resolve principalmente dois problemas principais: controle de uniformidade do wafer epitaxial e controle de defeito epitaxial.

(1) O controle da uniformidade do wafer epitaxial, devido ao aumento no tamanho do wafer epitaxial, é frequentemente acompanhado por um declínio na uniformidade do wafer epitaxial, portanto, o controle da uniformidade do wafer epitaxial de grande tamanho é a chave para melhorar o rendimento e a confiabilidade do dispositivo e, em seguida, reduzir custos.

(2) Controle do defeito epitaxial. O deslocamento do plano de cristal base (BPD) é um importante defeito cristalino que afeta a estabilidade dos dispositivos de potência bipolares de carboneto de silício, e a redução contínua da densidade do BPD é a principal direção para o desenvolvimento da tecnologia de crescimento epitaxial. Devido à alta densidade de BPD dos substratos de carboneto de silício preparados por transporte físico climático (PVT), a maioria dos BPDs na camada epitaxial que são prejudiciais ao dispositivo provém da penetração de BPDs no substrato na camada epitaxial. Portanto, melhorar a qualidade da cristalização do substrato pode efetivamente reduzir a densidade de deslocamento do BPD na camada epitaxial.

Fotos de visita do cliente em pó de carboneto de silício de grão 1500

Perguntas frequentes

P: você é um fabricante?

R: Sim, somos um fabricante localizado na cidade de Anyang, província de Henan. Como fornecedor profissional de matérias-primas metalúrgicas, sempre colocamos a qualidade do produto em primeiro lugar. Utilizamos os mais avançados equipamentos e tecnologia de controle de matéria-prima, processo de fabricação e sistema de controle de qualidade para garantir que nossos produtos atendam aos padrões da indústria e às necessidades do cliente.

P: Que tipo de condições de pagamento você aceita?

R: Para pedidos pequenos, você pode pagar por T/T, Western Union ou Paypal, pedido normal por T/T ou LC para nossa conta da empresa

P: Como posso obter uma amostra de Black Carborundum?

R: amostras grátis estão disponíveis, mas as taxas de frete serão por sua conta e as taxas serão devolvidas a você ou deduzidas de seu pedido no futuro.

P: Como confirmar a qualidade do produto antes de fazer pedidos?

R: Você pode obter amostras grátis para alguns produtos, você só precisa pagar o custo de envio ou providenciar um correio para nós e coletar as amostras. Você pode nos enviar as especificações e solicitações do seu produto, iremos fabricar os produtos de acordo com suas solicitações.

Tag: carborundum preto, fabricantes, fornecedores, fábrica de carborundum preto na China, 60 90 carboneto de silício, Carboneto de silício preto 1200 grão, Pó abrasivo sic 80 120 grão, Fabricante de areia de carboneto de silício 100, Carboneto de silício 1200 coragem, Mídia de carboneto de silício