Carboneto de Silício Grosso

Grão 100 de carboneto de silício Descrição

Os dispositivos eletrônicos de potência semicondutores de terceira{0}}geração-de alta potência representados pelo SiC são um dos dispositivos semicondutores de potência de crescimento mais rápido no campo da eletrônica de potência.

O carboneto de silício como um representante típico da terceira geração de materiais semicondutores, mas também a tecnologia de produção de cristal mais madura e o nível de fabricação de dispositivos, um dos materiais semicondutores de largura de banda mais amplamente utilizados, formou uma cadeia global da indústria de materiais, dispositivos e aplicações. É um material semicondutor ideal para aplicações de alta-temperatura, alta-frequência, resistência à radiação-e alta-potência.

Especificação de produtos de carboneto de silício

Fornecedores de produtos de carboneto de silício-ZhenAn International

Fabricante de grão de carboneto de silício 100-ZhenAn International

Fornecedor de pó de SiC-ZhenAn

Propriedades mecânicas:alta dureza (dureza Kjeldahl de 3000kg/mm²), pode cortar rubi; alta resistência ao desgaste, perdendo apenas para o diamante.

Propriedades térmicas:a condutividade térmica excede a do cobre metálico, 3 vezes a do Si e 8 a 10 vezes a do GaAs, boa dissipação de calor, muito importante para dispositivos de alta potência.

Propriedades químicas:a resistência à corrosão é muito forte, à temperatura ambiente pode resistir a quase todos os agentes corrosivos conhecidos. A fácil oxidação da superfície do SiC para gerar uma fina camada de SiO2, pode evitar sua oxidação adicional, em graus superiores a 1700, esta camada de fusão do filme de óxido e rápida reação de oxidação. O SiC pode ser dissolvido em material agente oxidante fundido.

Propriedades elétricas:O intervalo de banda de 4H-SiC e 6H-SiC é cerca de 3 vezes maior que o de Si, 2 vezes maior que o de GaAs; sua intensidade de campo elétrico de ruptura é uma ordem de magnitude maior que a do Si, e a taxa de desvio de elétrons de saturação é 2,5 vezes maior que a do Si. 4H-SiC tem um gap de banda mais amplo do que 6H-SiC.

Fotos de visita do cliente de carboneto de silício de grão 36

Perguntas frequentes

P: O preço é negociável?

R: Sim, sinta-se à vontade para entrar em contato conosco a qualquer momento se tiver alguma dúvida. E para os clientes que desejam ampliar o mercado, faremos o possível para apoiá-los.

P: Você pode fornecer amostras grátis?

R: Sim, podemos fornecer amostras grátis aos clientes para que eles verifiquem a qualidade ou façam as análises químicas, mas informe-nos os requisitos detalhados para que possamos preparar as amostras corretas.

P: Quando você pode entregar as mercadorias?

A: Normalmente, podemos entregar as mercadorias dentro de 15-20 dias após recebermos o pagamento antecipado ou L/C original.

P: Você pode fornecer um relatório de teste emitido pela SGS ou por outra inspeção-terceira?

R: Sim, podemos, se os clientes solicitarem relatórios de teste de terceiros.

Esperamos sinceramente ser seu parceiro, damos as boas-vindas a clientes novos e antigos para visitar o guia, bem como várias formas de negociações de cooperação comercial!

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