Um de materiais de alto nível Silicon Metal

Silicon Metalé uma matéria -prima importante para produzir organossilício e silício eletrônico, que requer refino para reduzir as impurezas. O método de oxidação é um método de remoção de refino e impureza relativamente eficaz. Ao usar esse método, selecionar escória com densidade, viscosidade, temperatura da linha de fase líquida e tensão interfacial é a chave para garantir o progresso suave da reação de refino. As experiências foram realizadas sobre a remoção de alumínio e cálcio do silício metalúrgico usando vidro de silicato de cálcio de sódio como oxidante. As taxas de remoção de impurezas de alumínio e cálcio no silício metalúrgico atingiram até 93,1% e 96,4%, respectivamente, com o conteúdo de alumínio e cálcio reduzido a tão baixo quanto 0. 0 7% e 0,025%, alcançando um bom efeito refinando.

1.Silicon Metal é amplamente utilizado para contatos entre os eletrodos de origem, drenagem, porta e metal em dispositivos microeletrônicos, tornando-o um dos principais materiais para a preparação de circuitos nano-integrados. A composição da fase, as reações interfaciais e os mecanismos de formação de silicidas de metais funcionais para circuitos integrados semicondutores, bem como várias técnicas de preparação, como evaporação térmica, implante de íons, deposição de sputter e epitaxia do feixe molecular. As propriedades materiais de Tisi2, COSI2 e NISI e seu impacto no desempenho de circuitos integrados em diferentes nós de tecnologia são examinados. A relação entre a temperatura de recozimento e a estrutura cristalina e os parâmetros de rede do NISI é analisada. O processo de crescimento de silicidas de metal de terras raras e suas características de barreira e interfacial com substratos de silício são esclarecidas. São apresentados a avaliação de desempenho dos métodos de silicidas metal mencionados acima mencionados, detecção de defeitos e testes de estabilidade térmica. Explorar novos tipos de silicidas metálicos para circuitos integrados semicondutores em larga escala em nós de tecnologia de 32 nm e abaixo se tornou o foco principal para pesquisas futuras.

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